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產品介紹
產品介紹
VS-300T 為拓荊自主研發的ALD原子層沈積設備。VS-300T 系列產品可搭載4個反應腔，結構緊湊，同時滿足高產能需求，具有優異坪效比及CoO。該系列產品可沈積高質量的SiO、SiN、TiO薄膜，在均勻性、顆粒度、臺階覆蓋率等方面達到國際領先水平，滿足邏輯、存儲等客戶先進技術節點要求。
- ALD薄膜在高深寬比（20:1）情況下臺階覆蓋率可達到95%
可搭載4個反應腔的高坪效比的新型五邊形設備
優異工藝性能，具有優異的均勻性和保形性
通過S2安全認證和E47標準檢驗
